STM32F417IET6电子管在使用时应严格遵照产品手册中规定的各极电压值（包括灯丝电压、屏极电压和帘栅极电压等）。选用哪种型号的电子管，还应根据应用电路的工作电压值、电流值等参数而定。所选电子管的各极电压值应与应用电路的工作电压值相同或相近，否则会缩短电子管的使用寿命。
 3．主要参数应相同或相近STM32F417IET6
电子管损坏后，若无同型号电子管更换，也可以使用主要参数相同或相近的其它型号电子管来代换。代换管的灯丝电压不能超过额定值的+5%，屏极电压和帘栅极电压不能超过额定值，耗散功率应相同，否则会缩短电子管的使用寿命。


STM32F417IE基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F417IET6由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

它属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F417IE带DSP和FPU，具有512 KB Flash、168 MHz CPU和ART加速器。

STM32F417IE具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。


STM32F417IET6参数
料号 STM32F417IET6
特性 带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、168 MHz CPU、ART加速器、以太网、FSMC和硬件加密
状态 Active
封装 LQFP 176 24x24x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 168
程序存储器大小 (kB) 512
双组闪存 -
数据RAM大小(kB) 192
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 140
显示控制器 -
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 3
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 2
存储器扩展接口 FSMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 AES,DES/TDES,HMAC,MD5,SHA
TRNG true
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 215
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

作为ST代理经销商，深圳西昂特科技备有STM32F417IET6现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。

深圳西昂特科技除了以上STM32F417IET6以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。

GD32L412TBY6
GD32L422CBT6
GD32L422CBU6
GD32L422KBT6
GD32L422KBU6
GD32L422RBI6
GD32L422RBT6
GD32L422TBY6
GD32L431CBT6
GD32L431CBT7
GD32L431CBU7
GD32L431CBY7
GD32L431CCT6
STM32F417IET6
GD32L431CCU6
GD32L431CCY6
GD32L431KBU6
GD32L431KCU6
GD32L431RBI3
GD32L431RBT3
GD32L431RBT6
GD32L431RBY3
GD32L431RCI6
GD32L431RCT6
GD32L431RCY6
GD32L431VCI7
GD32L431VCT6
GD32L431VCT7
GD32L432KBU6
GD32L432KCU6
GD32L433CBT6

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