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联系人：李先生
QQ： 
邮箱：sales@topvendor.com.cn
地址：北京北京市朝阳区建国东路15号北岸1292大厦B座1102
|
Item |
Unit |
Sepcification |
Remarks |
|
Crystal Growth |
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VGF HB VB |
|
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Dopant |
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Si or Zn or undope |
N-type/ P-type/ undope |
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Diameter |
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1” 2” 3” 4” 6” |
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Orientation |
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(100) (111) |
Other orientation available |
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Carrier Concentration |
/cm3 |
0.4~2.5*1018 |
Other spec. available |
|
Resisitivity |
Ohm.cm |
(0.8-9)×10-3 (1-9)×1017 |
Other spec. available |
|
Mobility |
cm2/v.s |
1500~3000 3000~5000 |
Other spec. available |
|
EPD |
/cm2 |
<100 <500<> <5000 <10000<> |
Other spec. available |
|
Thickness |
|
~350um ~625um |
Other spec. available |
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TTV |
um |
<10um or better |
|
|
TIR |
um |
<10um or better |
|
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Bow |
um |
<10um or better |
|
|
Warp |
um |
<10um or better |
|
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Surface |
|
PE PP |
|
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Epi-ready |
|
Yes |
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