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TLE4250G E6327原装封装SOT595

供应TLE4250G E6327原装封装SOT595
供应TLE4250G E6327原装封装SOT595
  • 型号/规格:

    TLE4250G E6327

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 封装形式:

    SOT595

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 频率特性:

    超高频

VIP会员 第 14
  • 企业名:广东星河微电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82531233

    手机:13544236333

    联系人:张汉斌

    QQ: QQ:3008047508

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    邮箱:3008047508@b.qq.com

    地址:广东深圳广东省深圳市福田区华强北中航路国利大厦2817室

产品分类
商品信息 更新时间:2018-11-12


齐纳击穿

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。

雪崩击穿

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。


联系方式

企业名:广东星河微电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82531233

手机:13544236333

联系人:张汉斌

QQ: QQ:3008047508

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