场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是贴片三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。在代换时，必须了解清楚原管子(或要求的管子)的性能(是通用三极管、是开关三极管等)、结构(如达林顿管、带阻贴片三极管、组合贴片三极管)或有特殊要求(如高反压、低噪声等)及-些主要参数然后从手册(或公司数据手册)找同一性能、功能、结构及参数相似的进行试验或代换，另外，要注意的是工作频率(是MF段、HF段、VHF段或UHF段等).选用的要满足工作频率的要求。

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