肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100gHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。    可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

1. MAXIMUN CLAMPING VOLTAGE: 箝位电压VC要小于电路允许的安全电压。

2. REVERSE STAND-OFF VOLTAGE:截止电压VRWM大于电路的工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的工作电压。

3. PEAK PULSE POWER:额定的脉冲功率（TVS参数中给出） PM要大于瞬态浪涌功率。

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