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场效应管与双极性晶体管的比较：

   场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

   场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

   场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

   场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

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Rohs Lead free / RoHS Compliant标准包装 3,000FET 型 MOSFET N-Channel, Metal OxideFET特点 Logic Level Gate漏极至源极电压（VDSS） 30V电流-连续漏极（编号）@ 25°C 14ARds（）@ ID，VGS 9.5 mOhm @ 14A, 10VVGS（TH）（）@ Id 2.2V @ 250μA栅极电荷（Qg）@ VGS 18nC @ 10V输入电容（Ciss）@ Vds的 770pF @ 15V功率 - 3.1W安装类型 Surface Mount包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)供应商器件封装 8-SOIC包装材料 Tape & Reel (TR)FET特点 Logic Level Gate封装 Tape & Reel (TR)安装类型 Surface Mount电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 14A (Ta)的Vgs（th ） （）@ Id 2.2V @ 250μA供应商设备封装 8-SOIC其他名称 785-1290-2开态Rds（）@ Id ，V GS 9.5 mOhm @ 14A, 10VFET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide功率 - 3.1W标准包装 3,000漏极至源极电压（Vdss） 30V输入电容（Ciss ） @ VDS 770pF @ 15V闸电荷（Qg ） @ VGS 18nC @ 10V封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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