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详细介绍：

数据列表SIR330DP-T1-GE3;

标准包装  3,000包装 

 标准卷带 零件状态停產

类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1300pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），27.7W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1300pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），27.7W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）35nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1300pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），27.7W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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企业名：亚芯电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 86755-83779599
86755-89552255

手机：18028799090
18938936909

联系人：吴生/董小姐

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