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详细介绍：

数据列表GKI03039;

标准包装  5,000包装  

标准卷带 零件状态有源

类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）

30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.8 毫欧 @ 47.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 650μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）38.8nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2460pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），59W（Tc）工作温度150°C（TJ）

感谢来到

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标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.8 毫欧 @ 47.2A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 650μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）38.8nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2460pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），59W（Tc）工作温度150°C（TJ）

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标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3.8 毫欧 @ 47.2A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 650μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）38.8nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2460pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），59W（Tc）工作温度150°C（TJ）

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企业名：亚芯电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 86755-83779599
86755-89552255

手机：18028799090
18938936909

联系人：吴生/董小姐

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