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详细介绍：

数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带 

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）26nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

 数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）26nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

 数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）26nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

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企业名：亚芯电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 86755-83779599
86755-89552255

手机：18028799090
18938936909

联系人：吴生/董小姐

QQ：

邮箱：2821917996@qq.com

地址：广东深圳深圳市龙岗区坂田百瑞达大厦A座14楼13A02-13A03