产品特点：•单电压读写操作- 5.0V -仅供SST29EE512- 3.0-3.6V的SST29LE512- 2.7-3.6V的SST29VE512•卓越的

可靠性- 耐力： 100,000次（典型值）- 大于100年数据保存时间•低功耗- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和10

毫安（典型值）为3.0 / 2.7V- 待机电流： 10 μA （典型值）•快速页写操作- 每个页， 512页128字节- 页面 - 写

周期： 5毫秒（典型值）- 完整的存储器重写： 2.5秒（典型值）- 有效字节写周期时间： 39 μs（典型值）•快速

读取访问时间- 5.0V的管理： 70和90纳秒- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒•锁存

地址和数据•自动写时序- 内部VPPGENERATION•写检测结束- 触发位- 数据＃投票•硬件和软件数据保护•产品标识

产品说明

该SST29EE / LE / VE512为64K ×8 CMOS ，页写的EEPROM与SST专有的制造，高高性能CMOS SuperFlash技术。

在不分流栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的可靠性和可制造与比较另一种方法。该SST29EE / LE 

/ VE512写与单个电源。内部擦除/编程是对用户透明。该SST29EE / LE / VE512 CON-形成JEDEC标准引脚排列

字节宽的回忆。拥有高性能的页面写的SST29EE /LE / VE512提供39微秒典型的字节写入时间。整个存储器，即

， 64K字节，可以被写入页面级逐页在短短2.5秒时，在使用界面功能，如翻转位或数据＃投票指示在完成一个

写周期。为了防止inad-vertent写的SST29EE / LE / VE512具有片硬件和软件数据保护方案。设计，制造和测试

了一个宽光谱的应用中， SST29EE / LE / VE512提供与10000次保证页面写的耐力。数据保留的额定功率为100

年以上。该SST29EE / LE / VE512适合于应用需要程序方便和经济的升级，配置或数据存储器。对于所有系统

应用中，请在SST29EE / LE / VE512显著改善per-性能和可靠性，同时降低功耗消费。该SST29EE / LE / VE512

提高使用灵活性，同时降低了成本，程序，数据和组态配给存储应用。为了满足高密度的表面安装的要求，

SST29EE / LE / VE512提供32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也可提供。参见图1

 ，图2和3为插脚引线。设备操作SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电写能力。该SST29EE / LE / VE512

不需要单独的擦除和编程操作。国内定时写周期执行两个擦除和编程传输parently给用户。该SST29EE / LE / 

VE512具有行业试着标准可选软件数据保护，这SST建议总是被激活。该SST29EE / LE /VE512与行业标准兼容

的EEPROM引脚和功能

企业名：深圳国芯威科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-29676185

手机：18038188587，13691773978

联系人：曾先生

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