AUIRFP4568
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-247-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：171 A
Rds上漏源导通电阻：4.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-血浆甲醛：227 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：517 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：Tube
配置：单
高度：20.7毫米
长度：15.87毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.31毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：162 S
下降时间：84 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：119 ns
工厂包装数量：400
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：47 ns
典型起始延迟时间：27 ns
零件号别名：AUIRFP4568 SP001519624
单位重量：6 g
特征
先进的平面技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，
利用的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。
此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关
速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合，
使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，可用于汽车应用以及各种其他应用。
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
171 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
121 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
684 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
517 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
3.45 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 30 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ |
763 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
See Fig.14,15, 22a, 22b |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy „ |
mJ |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dtƒ |
18.5 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ：
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
