型号:IRFS38N20DTRLP

封装:TO252

品牌:英飞凌

综述

200 v单n沟道HEXFET功率MOSFET D2-Pak包

优势:

•通过无铅

•行业领先的质量

•完全雪崩电压和电流的特征

•低Gate-to-Drain电荷降低切换损失

•充分有效输出电容电容包括简化设计

规格FET 类型N

沟道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）43A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）54 毫欧 @ 26A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）91nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2900pF @ 25VFET

功能-功率耗散（值）3.8W（Ta），300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

我们让人们的生活更加便利、安全和环保当今世界不断膨胀的人口，越来越多的大型城市以及能源需求的持续攀升正促使我们重新思考我们现代化生活方式的方方面面。

英飞凌的微电子产品和解决方案带您通往美好的未来。让人们的生活更加便利、安全和环保。这些几乎隐形并不起眼的电子元件已经成为我们日常生活不可或缺的一部分。它们帮助我们几乎没有损耗地将可再生电能输入电网，驯服大功耗计算机，保护网络数据传输，实现汽车节能。

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2017 财年（截止 9 月 30 日），公司的销售额达71亿欧元，在全球范围内拥有约 37,500 名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

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