单个  STMicroelectronics  STS4DNFS30L

制造商   

STMicroelectronics

制造商零件编号   

STS4DNFS30L

单个  STMicroelectronics  STS4DNFS30L 

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    4A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      55 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    9nC @ 5V

Vgs（大值）     ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  330pF @ 25V

FET 功能       肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（大值）    2W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-SO

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

单个  STMicroelectronics  STS4DNFS30L

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