晶体管  IXYS  IXTQ88N30P

制造商

IXYS

制造商产品编号

IXTQ88N30P

晶体管  IXYS  IXTQ88N30P 

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)88A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）40 毫欧 @ 44A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）600W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-3P

封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3

漏源电压（Vdss）300 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）180 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）6300 pF @ 25 V

晶体管  IXYS  IXTQ88N30P

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