日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.宣布已通过并生产RF3932，这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。 　　RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品，RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件，以扩大其氮化镓功率晶体管系列，为RFMD客户提供更多的选择。目前，RF3932可提供样品，并已实现量产。 　　RFMD的氮化镓功率晶体管支持“绿色”架构，可降低能源消耗，提高网络运营商的热能管理和网络效率。RF3932的工作频率极为广泛(直流到3GHz)，可提供超过65%的高峰值效率。而且，RF3932整合了原本封装在外部的简单、经优化的匹配网络，在单个放大器中提供宽带增益和功率性能优势。RF3932采用两端含铅的密闭陶瓷法兰封装，利用RFMD先进的散热和功耗技术提供卓越的热稳定性和传导性。根据整体的功率要求，75瓦特的RF3932和140瓦特的RF3934是驱动器及/或输出阶段的最佳选择。

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