型号：IXDN602SIATR

品牌：IXYS

封装：SOIC8

全新原装，公司现货销售

2安培双低侧超快MOSFET驱动器

 

描述

该IXDF602 / IXDI602 /

IXDN602双高速门

司机特别适合井用于驱动

IXYS MOSFET和IGBT

。每两个输出中的

可以提供和吸收的峰值电流2A时

产生的电压上升和小于10ns的下降时间。

各驱动器的输入是CMOS兼容，并且是

几乎不受闭锁。专有电路

消除交叉传导电流

“直通”低传播延迟和快速，

匹配的上升和下降时间，使IXD_602家庭

非常适合高频率和高功率应用。

该IXDN602被配置为双非反相

驱动程序，

IXDI602被配置为双反相

驱动程序和IXDF602有一个翻转，一个

非反相驱动器

 

 栅极驱动器：MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

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