WEDPN8M64V-133B2一般说明
64MByte（512Mb）SDRAM是一种高速CMOS，动态
使用4个包含134,217,728位的芯片的随机存取存储器。
每个芯片在内部都配置为四排DRAM，带有一个
同步接口。该芯片的33,554,432位存储区中的每个存储区
组织为4,096行乘512列乘16位。
对SDRAM的读写访问是面向突发的。
访问从所选位置开始，然后继续进行编程
编程顺序中的位置数。访问开始
注册一个活动命令，然后执行
通过READ或WRITE命令。地址位已注册
与ACTIVE命令一致的是用来选择库
和要访问的行（BA0，BA1选择组； A0-11选择
该行）。注册的地址位与READ或
WRITE命令用于选择起始列位置
用于突发访问。
SDRAM提供可编程的READ或WRITE突发
长度为1、2、4或8个位置（或整页），并带有连字符
终止选项。可能启用了自动预充电功能
提供在结束时启动的自定时行预充电
突发序列。
512Mb SDRAM使用内部流水线架构
实现高速运转。该架构与
预取架构的2n规则，但它也允许该列
在每个时钟周期更改地址，以实现高速，完全随机的访问。访问时为一间银行预付款
其他三个银行之一将隐藏预充电周期，并且
提供无缝，高速，随机访问操作。
512Mb SDRAM设计为在3.3V低功耗下运行
内存系统。提供自动刷新模式，以及
省电，掉电模式。
所有输入和输出均兼容LVTTL。 SDRAM提供
DRAM操作性能方面的重大进步，包括

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