WEDPN8M64V-133B2
WEDC
BGA
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企业名:深圳市贸泽微电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82796091
手机:18820286218
联系人:李先生
邮箱:3003621649@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区深南大道世贸广场A座3403/3404室
WEDPN8M64V-133B2一般说明
64MByte(512Mb)SDRAM是一种高速CMOS,动态
使用4个包含134,217,728位的芯片的随机存取存储器。
每个芯片在内部都配置为四排DRAM,带有一个
同步接口。该芯片的33,554,432位存储区中的每个存储区
组织为4,096行乘512列乘16位。
对SDRAM的读写访问是面向突发的。
访问从所选位置开始,然后继续进行编程
编程顺序中的位置数。访问开始
注册一个活动命令,然后执行
通过READ或WRITE命令。地址位已注册
与ACTIVE命令一致的是用来选择库
和要访问的行(BA0,BA1选择组; A0-11选择
该行)。注册的地址位与READ或
WRITE命令用于选择起始列位置
用于突发访问。
SDRAM提供可编程的READ或WRITE突发
长度为1、2、4或8个位置(或整页),并带有连字符
终止选项。可能启用了自动预充电功能
提供在结束时启动的自定时行预充电
突发序列。
512Mb SDRAM使用内部流水线架构
实现高速运转。该架构与
预取架构的2n规则,但它也允许该列
在每个时钟周期更改地址,以实现高速,完全随机的访问。访问时为一间银行预付款
其他三个银行之一将隐藏预充电周期,并且
提供无缝,高速,随机访问操作。
512Mb SDRAM设计为在3.3V低功耗下运行
内存系统。提供自动刷新模式,以及
省电,掉电模式。
所有输入和输出均兼容LVTTL。 SDRAM提供
DRAM操作性能方面的重大进步,包括
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