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AO4430 液晶高压板MOS管 全新现货热

AO4430 液晶高压板MOS管  全新现货热
AO4430 液晶高压板MOS管  全新现货热
  • 型号/规格:

    AO4430

  • 品牌/商标:

    美国万代

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82584853

    手机:13692104516

    联系人:易小姐 辛先生 兰先生 周先生

    QQ: QQ:786015086

    邮箱:szguanyatong88@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路深纺大厦A座903

商品信息

AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side标准包装:1类别:分立式导体产品家庭:FET - 单系列:-包装:剪切带 (CT)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A (Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值):5.5 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):124nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7270pF @ 15V功率 - 值:3W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC产品目录页面:1667 (CN2011-ZH PDF)其它名称:785-1028-11

N-Channel 30-V (D-S) MOSFETVDS (V) ID(A)rDS(on) (mΩ)19306 @ VGS = 10V168 @ VGS = 4.5VSymbol Limit UnitsParameterVDS 30VDrain-Source VoltageVGS ±20Gate-Source VoltageTA=25°C 19Continuous Drain Current aIDATA=70°C 16IDM 60Pulsed Drain Current bIS 4.5 AContinuous Source Current (Diode Conduction) aTA=25°C 3.1Power Dissipation aPD WTA=70°C 2.2TJ, Tstg -55 to 150 °COperating Junction and Storage Temperature RangeSymbol Maximum UnitsParameter40°C/WMaximum Junction-to-Ambient at <= 10 secRθJA80Steady StateNotesa. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.b. Pulse width limited by maximum junction temperatureTHERMAL RESISTANCE RATINGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)PRODUCT SUMMARYKey Features:

• Low rDS(on) trench technology

• Low thermal impedance

• Fast switching speed

Typical Applications:

• White LED boost converters

• Automotive Systems

• Industrial DC/DC Conversion Circuits


联系方式

企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82584853

手机:13692104516

联系人:易小姐 辛先生 兰先生 周先生

QQ: QQ:786015086

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