SI2302CDS-T1-GE3（MOS场效应管）

型号/规格：
SI2302CDS-T1-GE3
品牌/商标：
VISHAY
封装形式：
SOT-236
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

发布询价信息

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企业名：深圳市泽芯微科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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产品分类

集成电路(IC)(96)
∟ 逻辑IC(47)∟ 时钟IC(2)∟ 其他IC(47)
电源IC(139)
∟ DC-AC(128)∟ LED驱动IC(1)∟ 稳压IC(1)∟ 其他电源IC(9)
半导体存储器(32)
∟ ROM（只读存储器）(7)∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(25)
二极管(8)
∟ 开关二极管(1)∟ ESD静电二极管(2)∟ 肖特基二极管(1)∟ 二极管芯片(管芯)(1)∟ 其他二极管(3)
三极管(9)
∟ 三端稳压管(器)(1)∟ 其他三极管(8)
场效应管MOSFET(4)
∟ MOSFET(4)
单片机(45)
∟ 单片机产品/套件(31)∟ 单片机MCU(9)∟ 单片机编程器(1)∟ 其它单片机配套产品/服务(4)
电源/稳压器(9)
∟ 高压电源(4)∟ 其他类型电源(5)
石英晶体器件(3)
∟ 贴片晶振(1)∟ 其他晶振器件(2)
连接器/接插件(11)
∟ 线对线连接器(9)∟ 排针(母)(2)
开关(2)
∟ 微动开关(1)∟ 行程开关(1)
传感器(9)
∟ 温(湿)度传感器(9)
放大器(2)
∟ 放大器(2)
其他未分类(46)
∟ 其他(5)

新品上架

商品信息

属性	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2.9A
栅源极阈值电压	850mV @ 250uA
漏源导通电阻	57mΩ @ 3.6A,4.5V
功率耗散（Ta=25°C）	710mW
类型	N沟道

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.5nC @ 4.5V
功率 - 值：710mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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