国产
SD A928
功率
*率
*频
PNP型
面接触型
锗(Ge)
直插型
塑料封装
120（MHz）
1（A）
企业名：刘新程
类型：生产加工
电话： 0754-88626462
联系人：刘新程
地址：广东汕头广东省汕头市汕樟路59号(宝华大厦)702
█主要用途(与C2328互补)
＊功率放大器
＊功率开关
█ *限值（Ta=25℃）
Tstg——贮存温度……………………………………-55~150℃ Tj——结温…………………………………………………150℃ PC——集电*耗散功率…………………………………1W VCBO——集电*—基*电压………………………………-30V VCEO——集电*—发射*电压……………………………-30V VEBO——发射*—基*电压………………………-5V IC——集电*电流…………………………………………-2A |
█电参数（Ta=25℃）
* 号 说 明 | * 号 | 测 试 条 件 | *小值 | 典型值 | *大值 | 单 位 |
集电*—基*截止电流 | ICBO | VCB=-30V,IE=0 |
|
| -100 | nA |
发射*—基*截止电流 | IEBO | VEB=-5V,IC=0 |
|
| -100 | nA |
集电*—基*击穿电压 | BVCBO | IC=-100uA,IE=0 | -30 |
|
| V |
集电*—发射*击穿电压 | BVCEO | IC=-10mA,IB=0 | -30 |
|
| V |
发射*—基*击穿电压 | BVEBO | IE=-1mA,IC=0 | -5 |
|
| V |
直流电流增益 | hFE | VCE=-2V, IC=-0.5A | 100 |
| 320 |
|
集电*—发射*饱和压降 | VCE(sat) | IC=-1.5A, IB=-30mA |
|
| -2 | V |
基*—发射*电压 | VBE(on) | VCE=-2V, IC=-500mA |
|
| -1 | V |
特征频率 | fT | VCE=-2V, IC=-0.5A |
| 120 |
| MHz |
共基*输出电容 | COB | VCB=-10V,IE=0,f=1MHz |
| 30 |
| pF |
█hFE(1)分档及其标志
O | Y |
100 - 200 | 160－ 320 |
"
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