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AOD2N60 MOS场效应管 AOD2N60L N沟道

AOD2N60 MOS场效应管 AOD2N60L N沟道
AOD2N60 MOS场效应管 AOD2N60L N沟道
  • 型号/规格:

    AOD2N60L

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 电压:

    600V

  • 封装:

    \tTO-252

  • 型号:

    AOD2N60L

  • 类型:

    驱动IC

普通会员
  • 企业名:深圳市宝科源电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

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商品信息 更新时间:2019-08-28

AOD2N60 MOS场效应管 AOD2N60L N沟道


数据列表

AO(D,U)2N60

类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
11nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
325pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
56.8W(Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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