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    肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。

     肖特基二*管肖特基（Schottky）二*管，又称肖特基势垒二*管（简称*D），它属一种低功耗、*速半导体器件。*显著的特点为反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二*管、续流二*管、保护二*管，也有用在微波通信等电路中作整流二*管、小信号检波二*管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

     肖特基（Schottky）二*管的*大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要*考虑。

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