M29W800DT70N6E 原装Micron闪存

特点综述
■电源电压
- VCC = 2.7V至3.6V的程序，擦除
读
■访问次数：45，70，90ns
■编程时间
–10μ每字节/字的典型
■19内存块
- 1引导块（顶部或底部位置）
- 2个参数和16个主要块
■编程/擦除控制器
嵌入式字节/字程序
算法
■擦除暂停和恢复模式
-读取和编程另一个块期间
暂停擦除
■解锁程序命令
-更快的生产/批量编程
■临时块保护
模式
■通用闪存接口
- 64位安全码
■低功耗
待机和自动待机
■100000编程/擦除周期每
块
■电子签名
–制造商代码：0020h
–顶装置代码m29w800dt：22d7h
–底层代码m29w800db：
225bh
概要描述
m29w800d是一个8兆位（1MB的x8或512KB的X16）
可读取、擦除和存储的非易失性存储器
重新编程。这些操作可以执行
使用一个低电压（2.7至3.6V）
供应。上电内存默认为其
读模式，它可以以同样的方式读取
作为只读存储器或EPROM。
内存被划分成块，可以
独立擦除，所以可以保存
删除旧数据时的有效数据。每一块
独立保护，防止意外
程序或擦除命令修改
记忆。编写程序和擦除命令
到内存的命令接口。一个
片上程序/擦除控制器简化
编程或擦除存储器的过程
照顾所有的特别行动
需要更新内存内容。
程序的结束或擦除操作可以
检测到任何错误条件。这个
控制内存所需的命令集
符合JEDEC标准。
存储器中的块不对称布置，
见图6和7，块地址。
第一或64个字节被分为
四附加块。16字节的引导块
可用于小初始化代码的启动
微处理器，两个8字节的参数
块可用于参数存储和
剩余的32K的主楼是一个小的应用
可以存储。
芯片使能，输出使能和写使能信号
控制总线的内存操作。
他们允许简单的连接到大多数微处理器，
常无附加逻辑。
内存是SO44提供，TSOP48（12×
20mm）6 9mm，TFBGA48（0.8mm间距）和
6 x 8mm TFBGA48（0.8mm间距）封装。这个
内存提供的所有位擦除（设置为
“1”

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