规格
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 123 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 93 nC
封装: Tube
商标名: StrongIRFET
商标: Infineon Technologies
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 99 W
工厂包装数量: 600

宽度: 4.4 mm

应用
刷电机驱动应用
无刷直流电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑结构
同步整流应用
谐振模式电源
或ING和冗余电源开关
直流/ DC和交流/直流转换器
直流/交流逆变器
效益
改良的闸门，雪崩和动态的dv / dt的耐用性
完全特征电容和雪崩SOA
增强型身体光电二极管/ dt和di / dt的能力
无铅*
符合RoHS标准，无卤素*

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