IS25LQ032B-JBLE 芯成半导体(ISSI)NOR闪存 原厂原装

生产商：芯成半导体(ISSI)

型号规格：IS25LQ032B-JBLE

产品类别：NOR型闪存

存储格式：闪存

存储技术：FLASH-NOR

电压-电源：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C

安装类型：表面贴装

原厂包装：管装

零件状态：批量生产

产品用途：芯成半导体(ISSI)的NOR闪存芯片主要应用于服务器，智能电视，视频监控，汽车电子，物联网设备，网络机顶盒，通信设备，平板电脑等消费类以及工业类电子设备，是全球第二大存储器供应商。我司供应的产品包含ISSI的DRAM,NOR闪存,SRAM等全系列存储产品。

NOR闪存的基本原理

NAND与NOR两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。虽然基本原理相同，但闪存可以有不同的电荷生成与存储方案。其中应用广泛的是“通道热电子编程(Channel Hot Electron，CHE)”，该方法通过对控制栅施加高电压，使传导电子在电场的作用下突破绝缘体的屏障进入到浮动栅内部，反之亦然，以此来完成写入或者抹除动作；另一种方法被称为“Fowler-Nordheim(FN)隧道效应法”，它是直接在绝缘层两侧施加高电压形成高强度电场，帮助电子穿越氧化层通道进出浮动栅。NOR闪存同时使用上述两种方法，CHE用于数据写入，支持单字节或单字编程；FN法则用于擦除，但NOR不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片区域执行擦除操作，由于擦除和编程速度慢、块尺寸也较大，使得NOR闪存在擦除和编程操作中所花费的时间很长，无法胜任纯数据存储和文件存储之类的应用，但它的优点是可支持代码本地直接运行；其次，NOR闪存采用随机存储方式，设备可以直接存取任意区域的数据，因此NOR闪存底部有大量的信号引脚，且每个单晶体管都需要辅助读写的逻辑，晶体管利用效率较低、容量不占优势。而NAND闪存采用FN法写入和擦除，且采用一种“页面-块”寻址的统一存储方式，单晶体管的结构相对简单，存储密度较高，擦除动作很快，但缺陷在于读出性能平平且不支持代码本地执行。另一个不可忽视的地方在于，NAND闪存很容易出现坏块，制造商通过虚拟映射的方式将其屏蔽。但是，NOR型闪存理论擦写次数约为10万次，NAND型闪存理论擦写次数约为100万次，寿命上NAND型闪存要占优势。

NOR闪存特点

NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。

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