S34ML08G201BHI000  Cypress（赛普拉斯）NAND闪存 原厂原装

制造商：Cypress（赛普拉斯）

规格型号：S34ML08G201BHI000

英文名称：NAND Flash

中文名称：快闪存储器

存储格式：NAND

安装类型：表面贴装

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产
产品用途：Cypress公司是一家的芯片制造商，中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存，FRAM铁电存储，SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。

NAND闪存概述

NAND闸高速缓存利用穿隧注入（Tunnel injection）写入，以及穿隧释放（Tunnel release）抹除。NAND Flash在今天的U盘与多数储存卡上都可看到。东芝在1989年发表了NAND Flash架构，这种存储器的访问方式类似硬盘、储存卡之类的区块性存储设备，每个区块由数个页所构成。一般来说这些页的大小为512或2048或4096字节。在各个页之间彼此的连接区域会有几个字节（一般而言是数据大小的1/32），这些空间用于存储错误修正码的校验和。

读取与写入动作可以以“页”为单位偏移量进行，抹除动作只能以“区块”为单位偏移量进行。NAND Flash还有一项限制就是区块内的数据只能序列性的写入。操作次数（Number of Operations, NOPs）则代表“页”可以被写入的次数。当前MLC的NOPs是1；而SLC则是4。NAND Flash也需要由设备驱动程序软件或分离的控制器芯片来进行坏区管理，例如SD卡内部便包含实行坏区管理与耗损平衡的电路。当一个逻辑区被高端软件访问时，逻辑区对应到实体区的工作则由驱动程序或控制器进行。

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