FM25V02A-GTR Cypress（赛普拉斯）FRAM 原厂原装

制造商：Cypress（赛普拉斯）

规格型号：FM25V02A-GTR

英文名称：ferroelectric RAM

中文名称：铁电存储器

存储格式：RAM

安装类型：表面贴装

原厂包装：管装

零件状态：批量生产
产品用途：Cypress公司是一家的芯片制造商，中文名称—赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市，在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。我司分销的产品包括NAND/NOR型闪存，FRAM铁电存储，SRAM静态随机存储器等存储类芯片。主要用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。

铁电存储器概述

铁电随机存取内存（Ferroelectric RAM，缩写为FeRAM或FRAM），类似于SDRAM，是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克（Dudley Allen Buck）在1952年提出的硕士论文中，首次提出了这个概念。

铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）一样密集（即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据），它很可能不能取代这些技术。然而，由于它能在非常低的电能需求下快速地存储，它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用，比如个人数字助理（PDA）、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器（FRAM）比闪存更快。在一些应用上，它也有可能替代电可擦除只读存储器（EEPROM）和静态随机存取存储器（SRAM），并成为未来的无线产品的关键元件

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