20 uF EMI电路* 逆变焊机电容器

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商品信息 更新时间：2014-06-10

20 uF EMI电路* 逆变焊机电容器

产生及工艺：

现代变速传动用静态变频器，其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号，因此，在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用，同时，也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。

电容器原材料膜，经过*的金属化镀层—浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行*的真空蒸镀工艺，使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。

连接引出处，增加镀层度可以大大*电容器处理大电流能力。而*的金属化镀层的结构使得自愈性能和串联电阻变得更为合理，其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时*了容量的稳定和精度，电感量低，大幅*了耐大电压、涌流的强度。

n 技术参数Technical Specification

额定容量Capacitance C (μF)	4.0μ 40μf	10μF	20μF	50μF	3μF
额定电压Rated DC voltage Un (V)	1250VDC	1400VDC	1400VDC	350VDC	500VDC
*大电流Max rms Current Imax (A)	40A	18A	35A	35A	45A
电容量偏差Capacitance tolerance（J）：	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%	&plu*n;5%
dv/dt (V/μs)	200	200	200	200	800
自感量Self Inductance Rs (nH)	≤10	≤10	≤10	≤10	≤10
端子间测试电压Ut-t（V）	1200V, 10S	1800V, 10S	1800V, 10S	600V, 10S	1800V, 10S
端子与外壳间测试电压Ut-c (V):	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S
ф直径×高度фd×h ( mm)	744649	ф50×60	ф50×60	ф50×60	504450
损耗角正切：tgδ(20℃,10kHz)	≤100×10^－⁴	≤30×10^－⁴	≤50×10^－⁴	≤55×10^－⁴	≤10×10^－⁴