TLP281-1 光电耦合器 BOM配单

型号/规格：
TLP281-1
品牌/商标：
TOSHIBA
封装：
SOP4
包装：
卷带

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集成电路(IC)(1278)
∟ 逻辑IC(727)∟ 射频IC(38)∟ 时钟IC(1)∟ 其他IC(512)
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半导体存储器(16)
∟ DRAM（MOS型动态存储器）(4)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(9)∟ Nand flash(3)
二极管(127)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(5)∟ 整流二极管(6)∟ 稳压二极管(55)∟ 开关二极管(10)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(2)∟ 快/超快/特快恢复二极管(9)∟ 瞬态(变)抑制二极管(4)∟ ESD静电二极管(3)∟ 肖特基二极管(29)∟ 发光二极管(1)∟ 激光(光电)二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(4)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(3)∟ 其他三极管(1)
场效应管MOSFET(165)
∟ MOSFET(54)∟ 结型场效应管(2)∟ IGBT模块(1)∟ GTR达林顿模块(1)∟ 其他场效应管模块(107)
单片机(218)
∟ 单片机MCU(217)∟ 其它单片机配套产品/服务(1)
电容器(1463)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(656)∟ 铝电解电容(470)∟ 无极性铝电解电容(12)∟ 钽电解电容(1)∟ 安规电容(29)∟ 高压电容(36)∟ 马达(启动)电容(7)∟ 瓷片(瓷介)电容(4)∟ 陶瓷电容(3)∟ 独石(层积)电容(45)∟ 穿芯电容(16)∟ 固态电容(92)∟ 有机薄膜介质电容(6)∟ 涤纶电容(12)∟ 聚丙烯(CBB)电容(57)∟ 校正电容器(7)∟ 油浸电容(2)∟ 充气电容(1)∟ 其他电容(7)
电阻器(353)
∟ 贴片/片式电阻(113)∟ 碳膜电阻(5)∟ 金属(氧化)膜电阻(137)∟ 水泥电阻(10)∟ 线绕电阻(9)∟ 排阻/网络电阻(10)∟ 高压电阻(1)∟ 高温电阻(1)∟ 热敏电阻(35)∟ 光敏电阻(4)∟ 压敏电阻(25)∟ 其他电阻(3)
电感器(80)
∟ 贴片电感(28)∟ 色环/色码电感(1)∟ I型/棒型/一字型电感(13)∟ 功率电感(30)∟ 扼流线圈电感(1)∟ 共模电感(6)∟ 互感器(1)
电位器(55)
∟ 金属膜电位器(2)∟ 线绕电位器(6)∟ 单圈、多圈电位器(5)∟ 单连、双连电位器(3)∟ 带开关/推拉电位器(1)∟ 精密电位器(27)∟ 其他电位器(11)
电源/稳压器(2)
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石英晶体器件(93)
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压电陶瓷元件(14)
∟ 陶瓷滤波器(1)∟ 陶瓷谐振器(13)
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商品信息

TLP281-1 光电耦合器 BOM配单

基本原理

在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。

光电耦合器主要由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。光的发射部分主要由发光器件构成，发光器件一般都是发光二极管，发光二极管加上正向电压时，能将电能转化为光能而发光，发光二极管可以用直流、交流、脉冲等电源驱动，但发光二极管在使用时必须加正向电压。光的接收部分主要由光敏器件构成，光敏器件一般都是光敏晶体管，光敏晶体管是利用 PN 结在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大变小的原理来工作的。

光的信号放大部分主要由电子电路等构成。发光器件的管脚为输入端，而光敏器件的管脚为输出端。工作时把电信号加到输入端，使发光器件的芯体发光，而光敏器件受光照后产生光电流并经电子电路放大后输出，实现电→光→电的转换，从而实现输入和输出电路的电器隔离。由于光电耦合器输入与输出电路间互相隔离，且电信号在传输时具有单向性等优点，因而光电耦合器具有良好的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力。

基本工作特性

1、共模抑制比很高

在光电耦合器内部，由于发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压通过极间耦合电容对输出电流的影响很小，因而共模抑制比很高。

2、输出特性

光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。当IF>0时，在一定的IF作用下，所对应的IC基本上与VCE无关。IC与IF之间的变化成线性关系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与普通晶体三极管输出特性相似。其测试连线如图2，图中D、C、E三根线分别对应B、C、E极，接在仪器插座上。

3、隔离特性

1．隔离电压Vio（Isolation Voltage）

光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

2．隔离电容Cio（Isolation Capacitance）：

光耦合器件输入端和输出端之间的电容值

3．隔离电阻Rio：（Isolation Resistance）

半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

4、传输特性：

1．电流传输比CTR（Current Transfer Radio）

输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

2．上升时间T_r （Rise Time）& 下降时间T_f（Fall Time）