F-RAM 16K Serial SPI 5V FRAM，FM25C160B-GA，F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM，FM25L16B-DGDescriptionThe FM25L16B是个16-kilobit非易失性memoryemploying先进的铁电的过程。

Aferroelectric随机存取内存或F-RAM isnonvolatile像亚兰并执行读取和写入。

它提供了可靠的数据保留38年消除复杂性,开销,andsystem水平可靠性问题引起byEEPROM和其他非易失性记忆。

在busspeed FM25L16B执行写操作。没有写延迟发生。将数据写入到内存数组每个字节后立即转移到设备。

CypressFeatures16K位铁电非易失性RAM性能描述，PDF介绍：

1、组织为2048 x 8位

2、高耐力100万亿(1014)读/写

3、38年数据保留(@ + 75oC)

4、NoDelay™写道

5、先进高可靠性的铁电ProcessVery快速串行外围接口SPI

6、20 MHz频率

7、直接硬件代替eepm

8、SPI模式0 & 3(CPOL CPHA = 0,0和1,1）

下一辆公车cyclemay开始不需要数据轮询。FM25L16B能够支持1014读/写周期,或比eepm writecycles一百万倍。

这些功能使FM25L16B理想fornonvolatile内存的应用程序要求frequentor快速写道。例子包括数据收集,编写的循环次数可能是关键,todemanding工业控制的长writetime eepm可能导致数据丢失。FM25L16B提供实实在在的利益drop-inreplacement usersof串行eepm作为硬件。The FM25L16B uses the high-speedSPI bus, which enhances the high-speed writecapabilityofF-RAMtechnology.Devicespecifications保证超过-40°C的industrialtemperature范围+ 85°C

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