IPD053N06N3 G
Infineon
SMD/SMT
20 V
- 55 C
+ 175 C
企业名:现代芯城(深圳)科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82542579
手机:19924492152
联系人:董先生
微信:
邮箱:forsales001@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区振中路华强广场C座26J
IPD053N06N3 G 晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 115 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 68 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
零件号别名: IPD053N06N3GBTMA1 SP000453318 IPD053N06N3GBTMA1
单位重量: 4 g
IPD053N06N3 G 晶体管 Infineon 产品图片
企业名:现代芯城(深圳)科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-82542579
手机:19924492152
联系人:董先生
微信:
邮箱:forsales001@163.com
地址:广东深圳深圳市福田区振中路华强广场C座26J