该BTM7752G是一个完全集成的大电流H桥电机驱动应用。它包括两个p沟道高侧MOSFET和两个n沟道低侧的MOSFET，在一个封装中集成的驱动IC。由于该p沟道高边开关需要一个电荷泵从而消除了化电磁干扰。接口到微控制器是由简单的集成驱动器IC为特色的逻辑电平输入，诊断与目前某种意义上说，死区时间生成和防止过热，过压，欠压，过流，短路。该BTM7752G为受保护的高电流PWM马达驱动器具有极低的主板优化的解决方案空间消耗

特点•••••••••••••••概观集成的高电流H桥的道阻力。 295毫欧@ 150° C（典型值。150 mΩ @ 25°C)（典型值）的低静态电流。 5μA @ 25°C高达25kHz的联合与积极随心所欲的PWM功能12一个典型的电流限制水平。 （ 8一分钟。 ）驱动电路与逻辑输入状态标志诊断电流检测能力过热关机与锁的行为PG-DSO-36-29过压锁定欠压关闭开关模式电流限制在过电流情况下降低功耗集成死区时间生成运行在高达28V绿色产品（符合RoHS）AEC合格

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