GMT/致新 G6020MC1D AQFN3X3-18 完整的DDR4/LPDDR4x/LPDDR5内存电源解决方案

概述

G6020MC1D适用于DDR4/L PDDR4x/LPDDR5内存系统。

特征
● 模式1/3/4的同步降压转换器（VBK1）
■ 超高效
■ VCC=5V N沟道MOSFET低压侧集成120mQ
■ VCC=5V N沟道MOSFET高压侧集成150mQ
■ 无电流检测电阻器（无损ILIMIT）
■ 具有100ns负载阶跃响应的准PWM输入电压范围：3V至5.5V
■ 输出电压：
VBK1=2.5V，模式1（DDR4）
VBK1=1.8V，模式3/4（LPDDR4x/LPDDR5）
■ 连续输出电流：1A
■ 内部软启动：1ms
■ 580kHz开关频率
■ 逐周期过电流保护
■ 锁定输出OVP和UVP保护
● 模式2下的25V/1A LDO（VBK1）
■ 输入电压范围：3V至5.5V
■ 输出电压固定在2.5V
■ 连续输出电流：1A
■ 内部软启动：1ms
■ 支持DDR4 VBK1要求
● 同步降压转换器（VBK2）
■ Utra高效
■ VCC=5V N沟道MOSFET低侧集成8.6mQ
■ VCC=5V N沟道MOSFET高压侧集成22mQ
■ 无电流检测电阻器（无损ILIMIT）
■ 100ns负载阶跃响应的准PWM
■ 4.5V至26V蓄电池输入范围
■ 输出电压：
VBK2=1.2V，模式1/2（DDR4）
模式3时VBK2=1.115V（LPDDR4x）
VBK2=1.065V，模式4（LPDDR5）
■ 连续输出电流：8A
■ 内部软启动：1.6ms
■ 600kHz开关频率
■ 逐周期过电流保护
■ 锁定输出OVP和UVP保护
● 0.6V/1.5A LDO（VLDO）
输出电压：
VLDO=（1/2）*VBK2在模式1/2（DDR4）
模式3下的VLDO=0.6V（LPDDR4x）
模式4下的VLDO=0.5V（LPDDR5）
■ 连续输出电流：1.5A
■ 只需要10μF的陶瓷输出电容
■ ＋VLDO的30mV精度
■ 内置软启动降低VLDOIN浪涌电流
■ 过电流保护
■ 过温度保护
● 模式1/2的缓冲参考（VLDOREF）
■ 缓冲，低噪声，+1010mA容量
■ 0.8%输出精度
● 低静态电流；150uA
● 电源良好指示灯
● 输出放电功能
● 加电和断电顺序控制
● OT和UVLO保护的非闩锁
● 18针3mm x 3mm AQFN封装

G6020MC1D产品应用
■ 笔记本电脑、个人电脑和服务器
■ Ultrabook，平板电脑
■ 单板计算机、工业PC
■ 分布式电力系统

G6020MC1D产品规格书（部分）

企业名：深圳市科瑞芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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