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EM01Z，EM01 ，EM01A ，整流二极管，原装，送样！！！

型号/规格：
EM01Z，EM01 ，EM01A
品牌/商标：
SUNMATE森美特
封装形式：
DO-41
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
盒带编带包装
PDF资料：
点击下载PDF

发布询价信息

相关产品

VIP会员第 10 年

企业名：深圳冠荣电子有限公司

类型：原厂制造商

电话： 17722503495

手机：17722503495

联系人：关先生

QQ：

邮箱：TVS.GR@163.COM

地址：广东深圳公司地址：深圳市福田区新华强电子广场6楼Q6E1051C

产品分类

半导体存储器(1)
二极管(4469)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(5)∟ 整流二极管(95)∟ 稳压二极管(1911)∟ 开关二极管(4)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(114)∟ 快/超快/特快恢复二极管(521)∟ 瞬态(变)抑制二极管(1181)∟ ESD静电二极管(138)∟ 肖特基二极管(338)∟ 二极管芯片(管芯)(153)∟ 其他二极管(10)
保险丝(131)
∟ 自恢复保险丝(127)∟ 温度保险丝(4)
放电管(287)
∟ 陶瓷放电管(287)

新品上架

商品信息 更新时间：2016-06-20

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以上标题为3个型号：

EM01Z , EM01 , EM01A

包装数量：3000PCS

需要了解参数的客户请参考一下规格书！！！

100(1)

EM01Z - EM01A0000

ROHS

EM01Z - EM01A0001

常用系列贴片整流二极管有:

(1A电流) M1L~M7L SOD-123FL

(1A电流) M1~M7 DO-214AC/SMA

(2A电流) S2A~S2M DO-214AA/SMB

(3A电流) S3A~S3M DO-214AB/SMC

(5A电流) S5A~S5M DO-214AA/SMC

(6A电流) S6A~S6M DO-214AA/SMC

(8A电流) S8A~S8M DO-214AA/SMC

(10A电流) S10A~S10M DO-214AA/SMC

电路板-1(2)

常用系列插件整流管二极管有:

（1A电流) 1N4001~1N4007系列 DO-41封装

（2A电流) RL201~RL207系列 DO-15封装

（3A电流) 1N5401~1N5408系列 DO-201AD封装

（5A电流) 5A1~5A10 系列 DO-201AD封装

（6A电流) 6A1~6A10 系列 R-6封装

（8A电流) 8A1~8A10 系列 R-6封装

（10A电流) 10A1~10A10 系列 R-6封装

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全系列400W,600W，TVS瞬变抑制二极管超薄体积SMAF，

SMBF全新上市，型号有P6SMBF系列!!!，P4SMAF系列!!!

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安防产品宣传单 - 副本

SMAF，SMBF封装肖特基： SS12F~SS110F SS22AF~SS210AF SS22F~SS210F SS32AF~ SS310AF SS34BF~SS310BF SS52AF~SS510AF SS52BF~SS510BF

SMAF,SMBF封装整流管： M1F~M7F S2AAF~S2MAF S2AF~S2MF S3AAF~S3MAF S3ABBF~ S3MBBF S5AAF~S5MAF S5ABF~S5MBF

SMAF,SMBF快恢复整流管:RS1AF~RS1AF RS2AAF~RS2MAF RS2ABF~RS2MBF RS3AAF~RS3MAF RS3ABF~RS3MBF RS5ABF~RS5MBF

SMAF,SMBF特快恢复整流管：US1AF~US1AF US2AAF~US2MAF US2ABF~US2MBF US3AAF~US3MAF US3ABF~US3MBF US5ABF~US5MBF

SMAF,SMBF超快恢复整流管：ES1AF~ES1JF ES2AAF~ES2JAF ES2ABF~ES2JBF ES3AAF~ES3JAF ES3ABF~ES3JBF ES5ABF~ES5JBF

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整流二极管(rectifier diode)：

一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

特性

整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。

常用参数

（1）平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V

（3）反向电流IR：它是二极管在反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）工作频率fm：它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。

（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及反向瞬态电压下的反向恢复时间。

（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。