4N35SR2M

封装 / 箱体: SMD-DIP-6

输出类型: NPN Phototransistor

通道数量: 1 Channel

If - 正向电流: 60 mA

集电极/发射极电压: 30 V

绝缘电压: 7500 Vrms

集电极/发射极饱和电压: 0.3 V

Vf - 正向电压: 1.5 V

Vr - 反向电压 : 6 V

Pd-功率耗散: 150 mW

工作温度: - 40 C

工作温度: + 100 C

系列: 4N35M

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: 1 Channel  

高度: 3.53 mm  

长度: 8.89 mm  

宽度: 6.6 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

集电极—射极击穿电压: 100 V

4N35SR2M

DESCRIPTION

The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 6-pin

dual in-line package.

FEATURES

• Also available in white package by specifying -M suffifix, eg. 4N25-M

• UL recognized (File # E90700)

• VDE recognized (File # 94766)

- Add option V for white package (e.g., 4N25V-M)

- Add option 300 for black package (e.g., 4N25.300)

APPLICATIONS

• Power supply regulators

• Digital logic inputs

• Microprocessor inputs

4N35SR2M

4N35SR2M

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。

4N35SR2M

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。

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