IXFH10N100
IXYS
无铅环保型
直插式
普通/民用电子信息产品
企业名:深圳市宝隆宏业科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83157462
0755-82570026
手机:15899765670
联系人:李小姐/雷先生
邮箱:suboerdz@163.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城 房间:华强北赛格广场5801室
半导体-分立半导体-晶体管-MOSFET-IXYS IXFH10N100
制造商编号:IXFH10N100
制造商: IXYS
说明:MOSFET 1KV 10A
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保无铅
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: HiPerFET
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 值: 10 S
下降时间: 32 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
单位重量: 6.500 g
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):1.4 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):56nC @ 10V
Vgs(值):±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):3030pF @ 25V
功率耗散(值):380W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247AD(IXFH)
封装/外壳:TO-247-3
企业名:深圳市宝隆宏业科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83157462
0755-82570026
手机:15899765670
联系人:李小姐/雷先生
邮箱:suboerdz@163.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城 房间:华强北赛格广场5801室
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