3DD10硅低频大功率晶体管

加工定制：
否
品牌/商标：
国产
型号/规格：
3DD10
应用范围：
放大
材料：
硅(Si)
*性：
NPN型
集电*允许电流ICM：
20（A）
集电*耗散功率PCM：
200（W）
截止频率fT：
100（MHz）
结构：
面接触型
封装形式：
直插型
封装材料：
金属封装

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普通会员

企业名：郑汉茂（个体经营）

类型：生产加工

电话： 0577-62760552

联系人：郑汉茂

地址：浙江温州柳市电子大厦65号

产品分类

二极管(5)
∟ 整流二极管(3)
三极管(26)
∟ 功率三极管(12)∟ 低噪声三极管(7)∟ 复合(达林顿)三极管(1)∟ 高反压三极管(2)∟ 其他三极管(2)
可控硅IGBT(3)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(2)
电容器(1)
∟ 玻璃釉电容(1)
电位器(2)
∟ 单圈、多圈电位器(1)
石英晶体器件(3)
∟ 其他晶振器件(3)
开关(1)
∟ 微动开关(1)
其他未分类(1)

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商品信息

3DD10NPN硅低频大功率晶体管

品牌国产型号 3DD10
应用范围功率功率特性大功率
频率特性低频 *性 NPN型
结构面接触型材料硅(Si)
封装形式直插型封装材料金属封装
集电*允许电流 20（A）集电**大允许耗散功率 200（W）
营销方式 * 产品性质新品
特点：产品采用三重扩散工艺，*烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，*热疲劳能力强。
应用范围：低速开关，低频功率放大，电源调整。
使用温度范围：-55- 175℃
质量等级：国军标
执行标准：GBJ33A-97
产品电压：50V-600V A-I档

联系方式

企业名：郑汉茂（个体经营）

类型：生产加工

电话： 0577-62760552

联系人：郑汉茂

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