产品参数

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 250 mA

Rds On-漏源导通电阻: 16 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 7.7 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.8 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: STN1NK80Z  

晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET  

类型: Power MOSFET  

宽度: 3.5 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 值: 0.8 S  

下降时间: 55 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

包装: 4000

企业名：深圳市力拓辉电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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