型号：MJW21196
品牌：ON
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：16A
电压 - 集电极发射极击穿（）：250V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：3V @ 3.2A，16A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 8A，5V
功率 - ：200W
频率 - 转换：4MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商设备封装：TO-247
包装：管件
标准包装：30
封装：TO-247
数量：5000
MJW21196描述：
MJW21195和MJW21196利用穿孔发射技术和专门用于高功率音频输出而设计，磁头定位器和线性应用。
特点
•总谐波失真特点
•高直流电流增益 -的hFE = 20分钟@ IC = 8 ADC
•出色的增益线性度

•高SOA ： 2.25 A， 80 V， 1秒

MJW21195 (PNP)

MJW21196 (NPN)

Silicon Power Transistors

The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter

technology and are specifically designed for high power audio output,

disk head positioners and linear applications.

Features

• Total Harmonic Distortion Characterized

• High DC Current Gain − hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc

• Excellent Gain Linearity

• High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second

• Pb−Free Packages are Available*

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