制造商: Toshiba 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 600 V 
Id-连续漏极电流: 15.8 A 
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V to 3.7 V 
Qg-栅极电荷: 38 nC 
工作温度: + 150 C 
技术: Si 
商标: Toshiba 
配置: Single 
下降时间: 5 ns 
工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 130 W 
上升时间: 25 ns 
系列: DTMOSIV 
商标名: DTMOSIV 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 100 ns 
典型接通延迟时间: 50 ns 
单位重量: 38 g

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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