温度传感器 - 模拟和数字输出DS18B20U+T关键词
深圳市 英瑞尔电子科技有限公司（Inreal)是一家专注于工业控制、航空航天、物联网、电力电子、通讯网络、汽车电子 、医疗电子等行业优质供应商。
公司成立于2006年，自成立以来一直信守“以质量求生存、以信誉求发展”的发展理念。在十多年的发展中，公司以“质量可靠、响应及时、周期保证、价格公道”为工作原则，坚持做到了想用户所想，急用户所急，努力为用户排忧解难。使公司获得了用户的高度认可，公司也得到长足的进步和发展。先后被多家民企客户评为优质供应商。被多家大中型国企和科研院所评为优质合格供方。
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Fet Type:
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N-Ch
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Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
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120V
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Drain-Source On Resistance-Max:
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3.6mΩ
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Rated Power Dissipation:
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300|W
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Qg Gate Charge:
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158nC
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封装类型：
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TO-263-7 (D2PAK7)
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安装方式：
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Surface Mount
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温度传感器 - 模拟和数字输出DS18B20U+T关键词
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大小：277.8KB
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厂家：IRF [International Rectifier]
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描述：HEXFET Power MOSFET
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标准包装：25
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类别：分离式半导体产品
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家庭：FET - 单
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系列：HEXFET®
-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
-
FET 特点：逻辑电平门
-
漏极至源极电压(Vdss)：75V
-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
-
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
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Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
-
闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
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功率 - ：520W
-
安装类型：通孔
-
封装/外壳：TO-247-3
-
供应商设备封装：TO-247ACI
-
分离式半导体产品DS1338Z-33+TMAXIM图片
-
大小：277.8KB
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厂家：IRF [International Rectifier]
-
描述：HEXFET Power MOSFET
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标准包装：25
-
类别：分离式半导体产品
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家庭：FET - 单
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系列：HEXFET®
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FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 特点：逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss)：75V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
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开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
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Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
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闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
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功率 - ：520W
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安装类型：通孔
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封装/外壳：TO-247-3
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供应商设备封装：TO-247ACI
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分离式半导体产品DS1338Z-33+TMAXIM图片
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大小：277.8KB
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厂家：IRF [International Rectifier]
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描述：HEXFET Power MOSFET
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标准包装：25
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类别：分离式半导体产品
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家庭：FET - 单
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系列：HEXFET®
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FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 特点：逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss)：75V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
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开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 毫欧 @ 195A，10V
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Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250μA
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闸电荷(Qg) @ Vgs：570nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds：19230pF @ 50V
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功率 - ：520W
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安装类型：通孔
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封装/外壳：TO-247-3
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供应商设备封装：TO-247ACI
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分离式半导体产品DS1338Z-33+TMAXIM图片
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-Ch
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Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
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120V
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Drain-Source On Resistance-Max:
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3.6mΩ
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Rated Power Dissipation:
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300|W
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Qg Gate Charge:
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158nC
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封装类型：
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TO-263-7 (D2PAK7)
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安装方式：
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