0.01%精度贴片电阻,0.05%精度贴片电阻,5PPM贴片精密电阻,10PPM贴片精密电阻

产品型号	AR03BTCX5602
电阻阻值	56kΩ
电阻精度	±0.1%
封装尺寸	603
温度系数	±25 ppm
产品功率	1/10W   提升功率型
工作电压	75 V
过载电压	150V
温度范围	-55～+155℃

在真空蒸发工艺中，系统真空度是直接影响成膜质量的关键。为了使蒸发原子或分子能淀积在离开蒸发源一定距离的衬底上，真空室的真空度通常应优于6×10-2帕，制作铝膜需要在1×10-3帕以上，制作高纯薄膜须优于10-8帕（见真空获得技术、真空测量技术）。
蒸发主要有电子束蒸发、多源蒸发、瞬时蒸发、激光蒸发和反应蒸发等方法。电子束蒸发:在5～10千伏/厘米电场下使电子束加速，并通过电子透镜使电子束聚焦，使坩埚中蒸发材料的温度升高到蒸发温度而蒸发。蒸发材料的熔融只限于表面的局部区域，使坩埚保持较低温度，而且电子束可以通过磁场转弯，从而把阴极杂质蒸发挡住。这种蒸发方法不仅可以达到较高的温度（约3000），而且污染很少。电子束加热按聚焦方式分为:直枪式、E枪式和环形枪式。直枪式具有较高的功率密度，适合于蒸发高熔点材料（如氧化铝、氧化锆、钽、钼等）。E枪式具有功率容量大 (约10千瓦)的特点，适于导热性好的材料如铝、金的蒸发，并可获得高达1微米/分的蒸发速度,而且发射电子的灯丝不受蒸发材料的沾污。环形枪式虽然结构简单，但不具备上述特点，使用较少。这几种加热方式仅适用于单元素材料的蒸发。对于多元素材料或化合物因组成元素的蒸气压不同，为了获得薄膜的成分，需要采用多源蒸发，瞬时蒸发、激光蒸发或反应蒸发等方式。

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