IGBT模块FP50R12KT3参数：

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极电压 VCEO:1200 V
在25 C的连续集电极电流:75 A
封装 / 箱体:Econo 3
工作温度:- 40 C
工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:17 mm
长度:122 mm
宽度:62 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Screw 栅极/发射极
电压:+/- 20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
零件号别名:FP50R12KT3BOSA1 SP
单位重量:300 g
IGBT模块是：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
IGBT模块的基本结构 绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region )。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP。
IGBT模块

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