零件编号 LM2904DR2GOSTR-ND

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制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

LM2904DR2G

类别 集成电路（IC）

线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

放大器类型 通用

电路数 2

输出类型 -

压摆率 0.6 V/μs

增益带宽积 1MHz

电流 - 输入偏置 45nA

电压 - 输入失调 2mV

电流 - 电源 1.5mA

电流 - 输出/通道 40mA

电压 - 电源，单/双（±） 3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V

工作温度 -40°C ~ 105°C

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

基本零件编号 LM2904

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图6和图7所示为在8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件在图5所示测试电路上的测试结果。如前所述，在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前，源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中，开关漏极上的电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。漏极电流测量结果展示的是流入下游器件二极管中的电流。脉冲峰值电流约为680 mA，电流持续时间约为60 ns。相比之下，1 kV HBM ESD电击的峰值电流为660 mA，持续时间为500 ns。我们因此可以得出结论认为，在采用这种保护电路的条件下，HBM ESD额定值为1 kV的下游器件应该能承受8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件。

图6. 8 kV事件期间的漏极电压和漏极输出电流。

图7. 16 kV空气放电事件期间的漏极电压和漏极输出电流。

EFT 保护

图8是在4 kV EFT事件的一个脉冲的测量结果。与ESD瞬变过程中发生的情况类似，在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前，源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中，开关漏极上的电压再次被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。在这种情况下，流入下游器件中的脉冲峰值电流仅为420 mA，电流持续时间仅约为90 ns。同样与HBM ESD事件相比，750 kV HBM ESD的电压的峰值电流为500 mA，持续时间为500 ns。因此，在4 kV EFT事件期间，能量被传输至下游器件的引脚上，该能量少于750 kV HBM ESD事件下的能量。

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