ALJ13002            TRANSISTOR(NPN)  
 
1. EMITTER      
 
2.COLLE*OR
 
3.BASE  
 
 
                         1  2  3
  
FEATUR*
Power dissipation
      PCM:10W(Tamb=25℃)
Collector current
      ICM:0.8A
Collector-base voltage
      V(BR)CBO: 600V
Opcrating and storage junction temperature range
      TJ,Tstg:-65℃  to  -150℃
 
ELE*RICAL  CHARA*ERISTICS(Tamb=25℃  unless  otherwise  specjfied):
 
Parameter  Symbol  Test conditions  MIN  TYP  MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage  V(BR)CBO  IC=1mA, IE=0
600      V
Collector-emittre breakdown’voltage  V(BR)CEO  IC=1mA, IB=0
400      V
Emitter-base breakdown voltage  V(BR)EBO  IC=1mA, IC=0
9      V
Collector cut-off current  ICBO  VCB=600V, IE=0
    0.5  ?
Collector cut-off current  IcEo  Vce=400V,IB=0
    1.0  ?
Emitter cut-off current  IEBO  VEB=9V，IC=0
    0.1  ?
DC current gain  HFE  Vce=5V，Ic=1mA
1

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