集电*漏电流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA
发射*漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电*、发射*击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V
发射*、基*击穿电压BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V
集电*、基*击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V
集电*、发射*饱和压降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 0.6 V
基*、发射*饱和压降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 1.2 V
基*、发射*压降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300
HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40
1.2
参数*号标称值单位
集电*、基*击穿电压VCBO 30 V
集电*、发射*击穿电压VCEO 25 V
发射*、基*击穿电压VEBO 5 V
集电*电流IC 500 mA
集电*功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300
TO-92
1. 发射* E
2. 基 * B
3. 集电* C
F G H1 H2 I1 I2
96-120 120-300

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类型：

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