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CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F

供应CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F
供应CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F
  • 型号/规格:

    CGH40035F

  • 品牌/商标:

    CREE

普通会员
  • 企业名:深圳市立维创展科技有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83050806

    联系人:陈凯鹏

    QQ: QQ:1912856821

    邮箱:sales806@leadwayic.com.cn

    地址:广东深圳深圳市福田区车公庙泰然九路1号盛唐商务大厦西座702室

商品信息

代理CREE 35W氮化镓(GaN)射频功率晶体管HEMT CGH40035F


Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的领先供应商。

深圳市立维创展科技有限公司是其代理商。

典型应用包括

 

l        双通道私人电台

l        宽带放大器

l        蜂窝基础设施

l        测试仪器

l        适于OFDMW CDMAEdgeCDMA波形的A类、AB类线性放大器

l        Cree RF器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。

 

SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHFL频段和S频段应用。这些特性包括

 

l        高导热性

l        高击穿电场

l        高饱和电子漂移速度

l        高功率密度(每单位栅范围功率)

 

这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选,可用于十倍频程带宽功率放大器。

 

产品外观:

 

基本参数:

 

l        0到4 GHz操作

l        15 dB小信号增益在2.0 GHz

l        13 dB小信号增益在4.0 GHz

l        45 W(典型值)Psat

l        60%的效率Psat

l        28 V操作

 

 

其他参数:

产品应用:

 

l        雷达

l        带宽放大器

l        数据链路和战术数据链

 

 

产品描述:

 

Cree的CGH40035F是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40035F,从28伏铁路经营,提供了一个通用的宽带解决方案的各种射频和微波应用。GaN HEMT器件提供高效率,高增益和宽的带宽能力CGH40035F理想的线性放大电路和压缩。 晶体管是旋入式,法兰包装。

 

 

深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件,可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源,货期与价格独具优势。


相关型号如下:

CGH40010F/CGH40010p 
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F 
CGH40045F 
CGH40090PP 
CGH40120F 
CGH40180PP

联系方式

企业名:深圳市立维创展科技有限公司

类型:经销商

电话: 0755-83050806

联系人:陈凯鹏

QQ: QQ:1912856821

邮箱:sales806@leadwayic.com.cn

地址:广东深圳深圳市福田区车公庙泰然九路1号盛唐商务大厦西座702室

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