瓷介电容：瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（*型）。
I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（*型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
1.高频圆片瓷介电容（CC）:电容量：1--6800p;额定电压：63--500V;主要特点：高频损耗小，稳定性好.应用：高频电路。低频瓷介电容（*）。电容量：10p—4.7u。额定电压：50V--100V。主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路。
CC1型1类瓷介电容器。用途：CCI型1类瓷介电容器Q值高，容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-500V。
CS1型3类瓷介电容器。用途：作*频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、*缘电阻要求不高的电路中。25V-50V。
*71型2类交流瓷介电容器。用途：各类电子、电器设备，用于天线耦合，开关电路及跨接电源线等。250Vac。
*81型2类高压瓷介电容器。用途：适用于1~3kV直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。

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