硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。

参数


类别:NPN-硅通用晶体管


集电极-发射极电压VCEO:12V


集电极-基极电压VCBO:20V


发射极-基极电压VEBO:3.0V


集电极直流电流IC:100mA


总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW


工作结温Tj:150℃


贮存温度Tstg:-65~150℃


电性能参数(TA=25℃):


击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0


直流放大系数hFE:50~300


集电极-基极截止电流ICBO:100nA(值)


发射极-基极截止电流IEBO:100nA(值)


特征频率fT:7.0GHz


封装:SOT-23


功率特性:中功率


极性:NPN型


结构:扩散型


材料:硅(Si)


封装材料:塑料封装


集电极允许电流:0.1(A)


集电极允许耗散功率:0.2(W)

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