产品种类:

MOSFET

制造商:

Infineon

技术:

Si

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220-3

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

55 V

Id-连续漏极电流:

110 A

Rds On-漏源导通电阻:

6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

Qg-栅极电荷:

76 nC

工作温度:

- 55 C

封装:

Tube

通道模式:

Enhancement

商标:

Infineon / IR

配置:

Single

下降时间:

67 ns

高度:

15.65 mm

长度:

10 mm

Pd-功率耗散:

170 W

上升时间:

95 ns

工厂包装数量:

3000

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

45 ns

典型接通延迟时间:

18 ns

宽度:

4.4 mm

单位重量:

6 g